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VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀

簡要描述:VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。配備有兩個靶槍,一個弱磁靶用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜,一個強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,且可使用的材料范圍廣

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-07-16
  • 訪  問  量:3017

詳細介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間面議
產(chǎn)地類別國產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域地礦
產(chǎn)品簡介VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀

VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍和兩個電源,一個射頻電源用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜,一個直流電源用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜,可選配強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,且可使用的材料范圍廣,是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。

主要特點VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
  • 配置兩個靶槍,一個配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,一個配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。

  • 可制備多種薄膜,應(yīng)用廣泛。

  • 體積小,操作簡便。

技術(shù)參數(shù)VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀

產(chǎn)品名稱

VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀

產(chǎn)品型號

VTC-600-2HD

安裝條件

1、工作臺需要:尺寸 L1300mm×W750mm×H700mm,承重 200kg 以上。

2、水:需求:隨機標配 KJ-5000 自循環(huán)冷水機(加注純凈水或者去離子水)。

3、氣:需氬氣(純度≥99.99%),自備氬氣瓶(自帶?6mm 雙卡套接頭)及減壓閥。

4、通風(fēng)裝置:使用現(xiàn)場需通風(fēng)(必要時可自行加裝換氣裝置)。

5、供電源:單相:AC220V 50Hz 國標 10A 插座,必須有良好接地,前端需加裝 16A 空氣開關(guān)。

6、現(xiàn)場環(huán)境:要求:溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh 以下,干燥無塵,無易燃易爆氣體。

主要參數(shù)

統(tǒng)

真空室尺寸

φ295×高265mm

備注說明

真空泵組

分子泵:Hipace80 渦輪泵

前級泵:MVP015-2DC 隔膜泵

浦發(fā)(Pfeiffer)

本底真空度

5.0E-3Pa(5.0E-5hPa)

沉積前基礎(chǔ)真空要求

極限真空度

5.0E-4Pa(5.0E-6hPa)

受現(xiàn)場環(huán)境等因素影響

工作壓力

0.1~5Pa(0.001~0.05hPa)

氬氣為主,反應(yīng)氣體比例添加

抽速

前級泵:1m3/h

分子泵:67l/s

影響抽真空時間

濺射電源

類型/數(shù)量

DC(直流):1臺

RF(射頻):1臺

DC:金屬靶 RF:絕緣靶

(搭配電源類型可選配)

輸出功率

范圍

DC:0~500W

RF:0~300W

功率輸出模式

MAX輸出功率

匹配阻抗

50Ω

確保功率傳輸效率

工作氣體

標配:氬氣(Ar)

建議使用:Ar 純度 99.999%

氬氣流量

(2路輸入)

1路:1~100sccm

1路:1~200sccm

注:如需要通入其它類型保

護氣體可定制

流量計精度

±1%F.S.

/

轉(zhuǎn)

樣品臺尺寸

Φ132mm

≈5.2英寸

樣品臺轉(zhuǎn)速

1~20rpm

提升膜厚均勻性

加熱溫度

RT~500℃

樣品臺表面溫度值

控溫精度

±1℃

/

磁控靶數(shù)量

2個

可獨立、可同時使用

靶材尺寸

φ2寸 厚度0.1-5mm

靶材材質(zhì)不同厚度有所不同

靶基距

85~115mm可調(diào)

當距離↑增大、→厚膜均勻

性↑增高,沉積速率↓下降。

冷卻方式

水冷

冷卻水循環(huán)靶頭降溫

數(shù)

厚膜均勻性

±5%(φ100mm基片)

靶基距和轉(zhuǎn)速優(yōu)化關(guān)鍵

極限膜厚

10nm~10um

過厚易應(yīng)力開裂

輸入功率

MAX:主機 500W/射頻電源 1100W/直流電源 750W

注:主機、射頻電源、直流電

源及膜厚儀均為獨立供電!

輸入電源

單相:AC220V 50/60Hz

主機尺寸

600mm×750mm×900mm

注:開蓋高度為1050mm

整機尺寸

1300m×750mm×900mm

注:開蓋高度為1050mm

整機重量

160kg

注:不含水冷機組

標準配件VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
序號名稱數(shù)量圖片鏈接
1直流電源控制系統(tǒng)1套-
2射頻電源控制系統(tǒng)1套-
3膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng)1套-
4分子泵(德國進口或者國產(chǎn)更大抽速)1臺-
5冷水機1臺-
6聚酯PU管(?6mm)4m-
可選配件VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
序號名稱功能類別圖片鏈接
1金、銦、銀、鉑等各種靶材(可選)VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀-
2可選配強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜(可選)-
3雙層旋轉(zhuǎn)鍍膜夾具(可選)VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀


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